三星 FMS 2026 抛出 zHBM:内存从"并列"改"叠在 AI 加速器正上方",性能约 HBM5 的 8 倍
8/4 圣克拉拉首次公开 zHBM/zNAND-O 概念模型,内存密度超 HBM5 的 10 倍、能效提升 3 倍、热阻减半;同场 V10 BV-NAND 超 400 层。仍是 Mock-up、无量产时间表,但这是"内存墙"被正面攻击的架构级答卷。
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MiniMax H3 开源许可写进"地域排除":美、欧、英、韩四地不得自由使用权重,API 却全球可用
许可条款十个月从 MIT 单向收紧至"地域排除"(版权诉讼 + 监管环境压力),但权重无地理封锁、ComfyUI 已合入。真正过滤掉的是有法务部门的公司。
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具身智能上半年融资 935 亿元同比 +137%,业内定调"从讲故事进入交付时代"
322 笔、总额 935 亿(2025 全年才 570 亿);触觉感知成新卡点,范式从 VLA 向 VTLA(视觉—触觉—语言—动作)迁移;国联民生称数据缺口高达 20 倍。警惕"融资额=成熟度"错觉。
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磷化铟(InP)缺口超 30%,Lumentum CEO 警告"可能比 DRAM/NAND 更严峻"
AI 数据中心互联换代,英伟达与超大规模客户对 InP 激光器需求从"数百单元"跃至"数亿单元";住友预计连续波激光器在数据中心光器件占比 2024 的 24% 升至 2028 的 69%。化合物半导体无法照搬硅基晶圆厂。
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长鑫存储拟在北京亦庄建第二座 12 英寸 DRAM 厂,整体月产能有望破 60 万片
7/30 工商变更注册资本由 238.9 亿增至 313.9 亿(单次增资 75 亿,+31%);Counterpoint:2026 Q1 长鑫已为全球第四大 DRAM 厂、市占约 8%,2028 望破 11%。扩产天花板仍受设备出口管制约束。
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腾讯混元发布 Hy ASR 3.0 preview:中文普通话词错误率 3.34%,Hy3 免费额度顺延至 8/31、调用量暴涨 68 倍
WER 普通话 3.34%/英语 2.62%/粤语 3.12%,已上线腾讯云并接入元宝、WorkBuddy;免费策略正把开发者习惯从 API 计费迁向平台绑定。(WER 按厂商自测口径)
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